长鑫存储申请半导体结构制备方法专利，能够有效改善晶体管在制备过程中受到的损伤

admin 2025-08-06 共125人围观，发现281个评论

金融界2024年11月6日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN118900558A，申请日期为2023年4月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体器件结构的制备方法及半导体结构。该半导体结构的制备方法包括如下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底包括有源区；在有源区上形成栅极结构；对未被栅极结构覆盖的有源区的表面进行氮化处理以形成氮化介质层，然后在氮化介质层下的有源区中制备轻掺杂漏区；在栅极结构的侧壁上形成侧墙结构；在未被栅极结构和侧墙结构覆盖的有源区中制备源漏区。该半导体结构的制备方法能够有效改善晶体管在制备过程中受到的损伤。